レーザープロセッシングでは，レーザー光を集光しスキャンすることで，微細パターンのレーザー直接描画（Laser Direct Writing）を行うことができます。この手法は，しばしばフォトリソグラフィーによる微細パターニング技術と比較されますが，レーザープロセッシングでは，高エネルギーのレーザー光を高い空間分解能で微小サイズに集光して物質に照射することから，フォトリソグラフィーでは起こり得ない，レーザー光と物質との特異な相互作用が生じます。これによって，フォトリソグラフィーでは得ることが困難な，材料表面の３次元的なテクスチャリングやレーザーアブレーション（爆蝕）による高アスペクト比の３Ｄ構造の形成が可能となります。

私たちは，レーザー描画法によって得られる多孔質の導電性カーボンによって，カーボンくし形電極等を形成し，その多孔質構造による大きな表面積を生かした，平面型マイクロスーパーキャパシタ（電気二重層キャパシタ）やセンサー等のデバイスの研究開発を行ってきました。フラットな表面からなる金属電極とは異なり，多孔質導電性カーボン層からなる電極は反応性官能基を有してもおります。弊社では，多孔質導電性カーボン層からなる電極の試作サンプルやカスタム品等の提供が可能です。R&D１および２のページに，それらの例を示しております。

レーザープロセッシングとフォトリソグラフィーとの比較でよく問題にされるのが，タクトタイム（ひとつの製品を製造するのに必要とする時間）です。フォトリソグラフィーは，同じものを大量生産するのに適した技術となります。これに対して，レーザープロセッシング技術が得意とするのは，様々な形状のものをコンピューターでデザインして，即座に形にするようなモノづくりです。それらのタクトタイムを比較した場合，同一品の大量生産ではフォトリソグラフィーが勝り，様々な形状品のカスタムデザインでは，フォトマスクや高額な設備を必要としないレーザープロセッシングが，研究開発の効率化の面で勝ります。

レーザープロセッシングが適したデバイス開発の例として，弊社が研究開発を行ってきました種々のUHF帯RFIDタグセンサーをR&D３，４，５，および６のページに示しました。UHF帯RFIDタグの開発においては，コンピューター上でデザインしたアンテナ形状のタグの電磁界解析が有用となりますが，UHF帯RFIDタグは周囲の環境の影響を非常に敏感に受けるために，電磁界解析の結果と実際に試作したRFIDタグの特性とはなかなか一致しません。特に，フリースペース（空気中）ではなく，人体のような高誘電体や金属表面に装着するためのUHF帯RFIDタグセンサーにおいては，多様な形状のタグを何度も試作して実測を繰り返しながらの研究開発が必要となります。

私たちは，コンピューター上のアイデアを形にするための，レーザープロセッシングによるオンデマンドなモノづくり技術を提供いたします。